[发明专利]发光二极管的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710182036.6 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101420003A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;林宏诚;綦振瀛 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管结构及其制造方法，是将基板放置于溶液内进行反应，使其表面自然形成一化学反应层，然后对基板进行蚀刻，使基板表面形成多个凹部与上方有该化学反应层的凸部，再除去该化学反应层，形成具有凹部与凸部的不规则几何形状于基板表面，最后于基板表面磊晶半导体发光结构，形成同时提高外部量子效率以及内部量子效率的发光二极管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管的制造方法，其特征在于，制造方法至少包括：提供基板(100)；将所述基板(100)放置于第一溶液内进行反应，使其表面自然形成化学反应层(110)；然后以所述化学反应层(110)作为遮罩，对所述基板(100)进行选择性蚀刻，使所述基板(100)表面无所述化学反应层(110)处形成多个凹部(120)，与上方有所述化学反应层(110)的多个凸部(130)；再将所述基板(100)放置于第二溶液内蚀刻，除去所述化学反应层(110)，形成所述凹部(120)与凸部(130)的不规则几何形状于所述基板(100)表面；然后将所述基板(100)表面清洁干净之后，于所述基板(100)表面上形成半导体发光结构(200)，且利用侧向成长磊晶技术使所述半导体发光结构(200)填平前述的凹部(120)且无任何孔洞形成。
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