[发明专利]一种像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200710182063.3 | 申请日: | 2002-11-28 |
公开(公告)号: | CN101154671A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 黄淑仪;陈士元 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构及其制造方法,该像素结构适于配置在一透明基板上,其包括一扫描配线、一栅绝缘层、一数据配线、一遮光层、一薄膜晶体管、一保护层、一接触窗以及一像素电极;其中,遮光层配置在透明基板的表面上且分别相对独立配置于数据配线的两侧,而且配置在数据配线两侧的遮光层彼此电性连接,以避免因数据配线与其两侧的遮光层所产生的寄生电容不一致,而导致显示不均匀的情形。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,适于架构于一透明基板上,其特征在于:该像素结构包括:一扫描配线,配置在该透明基板上;一栅绝缘层,配置于该透明基板上,并覆盖住该扫描配线;一数据配线,配置于该栅绝缘层上,且该数据配线所延伸的方向垂直于该扫描配线所延伸的方向;一遮光层,配置在该透明基板上,并分别相对独立配置在该数据配线的两侧,其中该数据配线两侧的该遮光层彼此电性连接;一薄膜晶体管,配置于该透明基板上,该薄膜晶体管包括一栅极、一信道层与一源极/漏极,其中该源极与该数据配线电性连接,该栅极与该扫描配线电性连接,该信道层配置在该栅极上方的该栅绝缘层上;一保护层,配置于该透明基板的上方,覆盖住该薄膜晶体管与该数据配线;一接触窗,配置在该保护层中;一像素电极,配置于该保护层上,其中该像素电极通过该接触窗而与该漏极电性连接;其中,在该遮光层与该像素层电极之间,设置有该栅绝缘层及保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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