[发明专利]半导体制造方法及半导体激光元件制造方法

摘要

在使未掺杂Mg的III－V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III－V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。

主权项

1.一种半导体制造方法，在将III族元素原料、V族元素原料、Mg掺杂物原料分别从III族元素原料容器、V族元素原料容器、掺杂物原料容器通过III族元素原料运输路径、V族元素原料运输路径、掺杂物原料运输路径输送到反应区域，在上述反应区域使III族元素原料和V族元素原料发生反应，以使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长，其特征在于：在上述III族元素原料运输路径、V族元素原料运输路径、掺杂物原料运输路径分别设置III族元素供给/不供给切换部、V族元素供给/不供给切换部、掺杂物供给/不供给切换部，来切换通过该运输路径的原料向上述反应区域供给和不供给，从上述III族元素原料容器、V族元素原料容器通过上述III族元素供给/不供给切换部、V族元素供给/不供给切换部向上述反应区域分别供给上述III族元素原料、V族元素原料，另一方面在通过上述掺杂物供给/不供给切换部停止向上述反应区域供给Mg掺杂物原料的状态下，使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使上述Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置预流期间，通过上述III族元素供给/不供给切换部停止向上述反应区域供给上述III族元素原料，另一方面，从上述V族元素原料容器、掺杂物原料容器通过上述V族元素供给/不供给切换部、掺杂物供给/不供给切换部向上述反应区域分别供给上述V族元素原料、Mg掺杂物原料。