[发明专利]等离子体处理装置和可变阻抗装置的校正方法有效
申请号: | 200710182349.1 | 申请日: | 2003-07-11 |
公开(公告)号: | CN101160014A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 山泽阳平;岩田学;舆水地盐;樋口文彦;清水昭贵;山下朝夫;岩间信浩;东浦勉;张东胜;中谷理子;村上范和 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置,包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间,形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极,提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部,向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 可变 阻抗 校正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用等离子体对被处理基板实施等离子体处理的装置,其特征在于:具备容纳所述被处理基板的气密处理室;向所述处理室内提供处理气体的气体提供系统;将所述处理室内排气且将所述处理室内设定为真空的排气系统;在所述处理室内按照相互对向的方式配置的第一及第二电极,在所述第一及第二电极间,形成将所述处理气体激励并等离子体化的RF电场;经匹配电路连接于所述第一及第二电极的、提供RF电力的RF电源,所述匹配电路自动进行输入阻抗相对所述RF电力的匹配;阻抗设定部,经布线连接于在所述等离子体处理中与所述等离子体电耦合的规定部件,设定作为与从所述等离子体输入到所述规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗,所述阻抗设定部可变更所述反方向阻抗的值;和向所述阻抗设定部提供关于所述反方向阻抗设定值的控制信号的控制部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710182349.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。