[发明专利]在与非闪存阵列中施加读电压的方法有效
| 申请号： | 200710184823.4 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174469A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 姜炯奭;韩义奎;韩庚洙;李真烨;金厚成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善闪存阵列的读干扰特性的方法。根据该方法，在具有至少一个单元串的闪存阵列中，将第一读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线，所述单元串中的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管串联连接。地电压被施加到从存储单元中选择的存储单元的字线。第二读电压被施加到未选择的存储单元中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管相邻的存储单元的字线。然后，第一读电压被施加到未选择的其它存储单元。第二读电压低于第一读电压。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 施加 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作具有至少一个存储单元串的闪存阵列的方法，所述存储单元串中的串选择晶体管、多个存储单元、以及接地选择晶体管相互串联连接，该方法包括：将地电压电平施加到对于读操作从存储单元串中选择的所选择的存储单元的字线；以及在读操作期间，选择性地将读电压电平施加到对于读操作未选择的未选择存储单元的字线，其中所述读电压电平基于未选择存储单元在存储单元串中的位置而变化。
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