[发明专利]半导体元件

摘要

本发明公开了一种半导体元件，其包括隔离结构、场注入区、栅极结构以及源极/漏极掺杂区。隔离结构位于基底中，在基底中定义出第一有源区与第二有源区与位于其两者之间的沟道有源区。场注入区位于第一有源区、第二有源区以及沟道有源区周围的部分隔离结构下方，其中沟道有源区具有界定其沟道宽度的二第一边缘，各第一边缘与其相邻的场注入区的第二边缘相隔一间距d1，且各第一有源区与各第二有源区的第三边缘与场注入区的第二边缘延伸线之间具有最短的距离为d2，R＝d1/d2，其中0.15≤R≤0.85。栅极结构覆盖沟道有源区并延伸至部分隔离结构上方。源极/漏极掺杂区分别位于第一有源区与第二有源区中。

主权项

1. 一种半导体元件，包括：隔离结构位于基底中，在该基底中定义出第一有源区与第二有源区与位于其彼此之间的沟道有源区，其彼此之间以该隔离结构相隔开；场注入区位于该第一有源区、该第二有源区以及该沟道有源区周围的部分该隔离结构下方，其中该沟道有源区具有界定其沟道宽度的二第一边缘，各该第一边缘与其相邻的该场注入区的第二边缘相隔一间距d1，且各该第一有源区与各该第二有源区的第三边缘与该场注入区的该第二边缘延伸线之间具有最短的距离为d2，R＝d1/d2，其中0.15≤R≤0.85；栅极结构覆盖该沟道有源区并延伸至部分该隔离结构上方；以及二源极/漏极掺杂区分别位于该第一有源区与该第二有源区中。