[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池无效
申请号: | 200710185123.7 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101174658A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种单晶硅太阳能电池的制造方法,包含:将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序;以该离子注入面作为贴合面,经由透明导电性粘结剂,粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜,并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;对该离子注入层施予冲击,机械性剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池,于硅太阳能电池中,为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜,且变换特性优异,并且因光照射产生的劣化少,所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法,是用以制造出在透明绝缘性基板上配置有作为光变换层的单晶硅层的单晶硅太阳能电池的方法,其特征为至少包含:准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序;将氢离子或稀有气体离子的至少一种,注入该单晶硅基板,来形成离子注入层的工序;以该离子注入面作为贴合面,经由透明导电性粘结剂,粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜,并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;对该离子注入层施予冲击,机械地剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;在该单晶硅层,形成与该第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散层,来形成pn结的工序;以及于该单晶硅层上形成电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的