[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池无效
申请号: | 200710185126.0 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101174596A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/142 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法,包含:将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序;对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方,进行表面活化处理的工序;以该进行表面活化处理后的面作为贴合面,来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序;对该离子注入层施予冲击,机械性剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;以及在该单晶硅层的该剥离面侧,形成多个第二导电型的扩散区域,并制成在该单晶硅层的该剥离面,存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池,将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层,可提供作为透视型太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法,是用以制造出在透明绝缘性基板上配置有作为光变换层的单晶硅层的单晶硅太阳能电池的方法,其特征为至少包含:准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序;将氢离子或稀有气体离子中的至少一种,注入该单晶硅基板,来形成离子注入层的工序;对该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的至少一个表面之中的至少一方,进行表面活化处理的工序;以该进行表面活化处理后的面作为贴合面,来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序;对该离子注入层施予冲击,机械地剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;在该单晶硅层的该剥离面侧,形成多个与该第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散区域,至少在面方向上形成多个pn结,并制成在该单晶硅层的该剥离面,存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序;在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上,分别形成多个第一个别电极,而在该多个第二导电型区域上,分别形成多个第二个别电极的工序;以及形成用以连结该多个第一个别电极的第一集电电极与用以连结该多个第二个别电极的第二集电电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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