[发明专利]测量像素中的电荷的高动态范围图像传感器、方法和介质无效

专利信息
申请号: 200710185192.8 申请日: 2007-11-12
公开(公告)号: CN101184175A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 曹宇钟;李性德;崔相彦;崔文哲;宋炫澈 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H04N17/00;G01R31/265
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;冯敏
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种测量像素中的电荷的高动态范围图像传感器、方法和介质。该高动态范围图像传感器包括:传感器,当像素达到饱和级别时重新设置该像素;存储单元,存储该像素已经被重新设置的次数;和测量单元,使用该像素已经被重新设置的次数(被简称为重新设置的次数)以及在该像素被最后重新设置之后剩余的电荷量来测量在该像素中接收的光通量。
搜索关键词: 测量 像素 中的 电荷 动态 范围 图像传感器 方法 介质
【主权项】:
1.一种高动态范围图像传感器包括:传感器,当像素达到饱和级别时重新设置该像素;存储单元,存储该像素已经被重新设置的次数;和测量单元,使用该像素已经被重新设置的次数,即重新设置的次数以及在该像素被最后重新设置之后剩余的电荷量来测量在该像素中接收的光通量。
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