[发明专利]半导体微机电结构的制造方法有效
| 申请号： | 200710186417.1 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101434375A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈晓翔;刘政谚 | 申请（专利权）人： | 微智半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体微机电结构的制造方法，是先在一硅基衬底的上表面制备至少一内具微机电结构的绝缘电路层，并且在绝缘电路层上表面由内而外依序制作一牺牲层及一阻挡层，接着在硅基衬底的下背面制作一层蚀刻阻挡层，并从硅基衬底的下背面进行深反应离子蚀刻或使用湿蚀刻，以形成相应该微机电结构的空间，再依序进行绝缘电路层、牺牲层的蚀刻，使微机电结构悬浮；藉此，有效避免侧蚀，而且微机电曝露在外、受到损伤的机率低，更能与一般集成电路封装工艺整合以减少最后封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 微机 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体微机电结构的制造方法，其特征在于：先在一硅基衬底的上表面制备至少一内具微机电结构的绝缘电路层，而后在所述绝缘电路层的上表面朝外依次制作至少一牺牲层及至少一阻挡层，接着在所述硅基衬底的下背面制作一层蚀刻阻挡层，刻蚀所述刻蚀阻挡层形成刻蚀阻挡层的开口，并从所述硅基衬底的下背面进行硅基衬底蚀刻形成相应所述微机电结构的空间，再自所述空间依序由下而上进行蚀刻到达阻挡层，使微机电结构悬浮。
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