[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710186573.8 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101211974A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 山冈义和;岛田聪;藤田和范;笹田一弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：沟槽部、在沟槽部的表面上形成的绝缘膜、栅电极、源极杂质区域，栅电极的与绝缘膜接触的部分的上端部位于为了形成源极杂质区域而从半导体基板的表面上导入的杂质相对于绝缘膜的粒子射程以上深度的位置，且位于比源极杂质区域的下表面靠上的位置。由此，获得能抑制栅绝缘膜的绝缘耐压降低并能抑制制造工艺复杂化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的主表面上的沟槽部；形成在所述沟槽部的表面上的绝缘膜；按照与所述沟槽部内的所述绝缘膜接触的方式形成的栅电极；和按照与所述沟槽部邻接的方式形成的源极杂质区域；与所述栅电极的所述绝缘膜接触的部分的上端部位于以下位置，即为了形成所述源极杂质区域而从所述半导体基板的表面上导入的杂质相对于所述绝缘膜的粒子射程以上深度的位置，且位于比所述源极杂质区域的下表面靠上的位置。
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