[发明专利]流体区域控制装置及其操作方法

摘要

本发明是提供一种流体区域控制装置及其操作方法。流体区域控制装置包括有至少一基底承载基座、至少一工艺流体提供管线、至少一工艺流体回补管线、至少一控制流体提供管线与至少一控制流体回补管线。工艺流体提供管线提供至少一工艺流体，使工艺流体接触晶片的晶面。控制流体提供管线则持续提供至少一控制流体。控制流体不溶于工艺流体，其会流过晶片的晶边，使得工艺流体被局限于特定的空间之内。

主权项

1. 一种用于电镀的流体区域控制装置，包括有：至少一基底承载基座，用以承载至少一半导体基底；至少一阴极电极，设置于该基底承载基座上，用以电连接该半导体基底；至少一阳极系统，位于该基底承载基座上方，本质上对应于该半导体基底而设置，并且与该基底承载基座相距一反应高度，该阳极系统与该阴极电极之间定义有至少一待处理区域以及至少一非处理区域；至少一控制流体提供管线，对应于该非处理区域而设置，用于提供至少一控制流体；至少一控制流体回补管线，对应于该非处理区域而设置，用于回收该控制流体；至少一工艺流体提供管线，对应于该待处理区域而设置，用于提供至少一电镀流体；以及至少一工艺流体回补管线，对应于该待处理区域而设置，用于回收该电镀流体。