[发明专利]改善表面的方法有效
| 申请号： | 200710186828.0 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101192510A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | W·林 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及改善半导体衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅。本发明的目的是提供改善半导体硅衬底表面的方法，所述的表面至少包含部分硅，其中用该方法使半导体衬底表面或其内部的缺陷能得以真正修复，以提供具有高表面性能的半导体衬底。本发明的目的用上述类型的方法能够达成，其中该方法包括沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底表面的至少一个孔中进行选择性外延沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善半导体衬底(1、10、11)表面(6)的方法，所述表面(6)至少由部分硅构成，所述方法包括：沉积步骤，其包括在所述的半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)中进行选择外延沉积；蚀刻步骤，该步骤在沉积步骤前应用于半导体衬底表面(6)上，所述蚀刻步骤包括蚀刻除去半导体衬底(1、10、11)表面(6)上的至少一个缺陷(2)，以形成表面(6)上的至少一个孔(7、17、37、47)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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