[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710186913.7 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101339956A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 魏启珊;吴国铭;李建兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极/漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极/漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。本发明能够改善LDMOS装置的静电放电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极/漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极/漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。
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