[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤，首先，执行第一道光掩模工艺，以在基板上形成图案化第一金属层，图案化第一金属层包含栅极。接着，执行第二道光掩模工艺，以在栅极上方形成图案化绝缘层及图案化半导体层，图案化绝缘层位于图案化第一金属层上，图案化半导体层位于图案化绝缘层上。然后，执行第三道光掩模工艺，以定义出薄膜晶体管及与薄膜晶体管耦接的像素电极，并形成保护层覆盖薄膜晶体管。本发明可在工艺上节省许多时间及原物料，大幅降低整体的生产成本并减少供货时间。

主权项

1.一种像素结构，包括：薄膜晶体管，设置于基板上，包括：栅极；绝缘层，设置于该栅极上；半导体层，设置于该绝缘层上；及源极与漏极，设置于该半导体层之上；以及像素电极，设置于该基板上，电性连接于该薄膜晶体管，该像素电极为多晶态金属氧化物。