[发明专利]无铬刻蚀溶液及揭示缺陷的方法和处理衬底的工艺无效
| 申请号： | 200710187095.2 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101186827A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | A·阿巴迪 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新颖的适用于表征半导体表面(包括硅－锗表面)缺陷的刻蚀溶液，以及使用在这里公开的刻蚀溶液处理半导体表面的方法。这种新刻蚀溶液不含铬，而且能够提供足够高的刻蚀速度以及非常满意的刻蚀结果。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 溶液 揭示 缺陷 方法 处理 衬底 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀溶液，包含氢氟酸、硝酸以及乙酸，其中浓度49％的氢氟酸、浓度70％的硝酸以及浓度100％的纯乙酸的体积比为1∶10-20∶8-17。
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