[发明专利]催化剂辅助的高K材料的硅酸盐的沉积方法无效
| 申请号： | 200710187101.4 | 申请日： | 2007-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101187012A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 梅特伊·马哈贾尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种高－k硅酸盐原子层沉积方法。为了产生硅酸铪层，衬底可暴露于铪前驱物、氧化剂脉冲、硅前驱物脉冲和其它氧化剂脉冲。催化剂可额外地与一种或多种反应物穿过分离的入口流入腔室中。选择性地，催化剂可在反应物引入到浸泡程序之前流入到腔室。通过穿过分离的入口协流催化剂或者通过执行催化剂浸泡，硅酸铪形成可在快速和/或在低温下执行。 | ||
| 搜索关键词： | 催化剂 辅助 材料 硅酸盐 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高-k硅酸盐沉积方法，顺序地包含：(a)在腔室中放置至少一个衬底；(b)将所述至少一个衬底暴露于高-k前驱物；(c)将所述至少一个衬底暴露于第一催化剂浸泡；(d)将所述至少一个衬底暴露于第一氧化源；(e)将所述至少一个衬底暴露于硅前驱物；(f)将所述至少一个衬底暴露于第二催化剂浸泡；以及然后(g)将所述至少一个衬底暴露于第二氧化源。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
