[发明专利]BJT及其制造方法无效
| 申请号： | 200710187314.7 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101211967A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金南柱 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双极晶体管及其制造方法。根据一个实施方案，将包括金属的集电极电极用于连接n+型埋层的下沉区，使得可以形成狭窄的下沉区。此外，可以降低基极区和集电极电极之间的间距，由此显著降低晶体管的尺寸。此外，集电极电阻降低，因而可以改进晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | bjt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，包括：在硅衬底表面中的第一导电埋层；在包括所述第一导电埋层的硅衬底上的外延层；在所述外延层表面中的基极和发射极区，其中所述基极和发射极区彼此间隔预定的间距；通过选择性移除所述外延层以部分暴露出所述第一导电埋层表面而形成的开口；在对应于所述开口的所述第一导电埋层表面中的第一导电扩散区；形成在所述硅衬底整个表面上的层间介电层；通过选择性移除所述层间介电层以暴露出所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的表面而形成的接触孔；和通过所述接触孔分别电连接到所述基极区、所述发射极区和所述第一导电扩散区的基极、发射极和集电极的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710187314.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双金属线坯的连续包覆焊接焊枪夹持装置
- 下一篇：钻孔压浆桩施工方法
- 同类专利
- 专利分类
