[发明专利]碳基材料、电子发射源及其制备方法以及电子发射装置无效
| 申请号： | 200710187400.8 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101231927A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 赵晟希 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;C01B31/00;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;安宇宏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于电子发射源的碳基材料、包含该碳基材料的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射装置和制备该电子发射源的方法。该电子发射源具有的碳基材料具有从由h2与h1之比(h2/h1)＜1.3和FWHM2与FWHM1之比(FWHM2/FWHM1)＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm－1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm－1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。包含该碳基材料的电子发射源具有长寿命和高电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 电子 发射 及其 制备 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子发射源的碳基材料，所述碳基材料具有从由h2与h1之比＜1.3和FWHM2与FWHM1之比＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm-1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm-1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。
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