[发明专利]存储器件,特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件,以及用于制造存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710187754.2 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101207149A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·塞德尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器件，具体地涉及电阻地开关的存储器件，比如相变随机存取存储器(“PCRAM”)。公开了一种方法，其中非导电材料纳米线形成为用作产生导电材料纳米管的模子。在纳米管的顶部上沉积开关活性材料块，因此纳米管的环形前端面耦合于开关活性材料，并因此形成底部电极接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 特别是 具有 晶体管 相变 随机存取存储器 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储单元阵列的集成电路，其中，每个所述存储单元包括开关活性材料块，所述开关活性材料块由围绕非导电纳米线形成的环形接触部所接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
