[发明专利]包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法无效
| 申请号： | 200710188198.0 | 申请日： | 2007-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101192622A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 曾章和;王士宾;刘俊彦;许国斌 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种基板上具有多个N型金属氧化物半导体元件与P型金属氧化物半导体元件的低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(low temperature polysilicon thin film transistor liquid crystal display，LTPS TFT－LCD)。每一个元件包括一层位于栅极电极下方或覆盖栅极电极的氮化硅层(SiNx)。此氮化硅层的特征在于具有一自上述栅极电极底部延伸的适当长度。此氮化硅层可以氮氧化硅层取代。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 低温 多晶 薄膜晶体管 影像 显示 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.影像显示系统，包括：低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板；有源层，覆盖该基板；栅极绝缘层，覆盖该有源层；介电层，包括第一延伸部分、第二延伸部分、以及分别连接该第一、第二延伸部分的第一中心部分，且覆盖该栅极绝缘层；以及栅极电极，覆盖该介电层的第一中心部分。
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