[发明专利]一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200710188544.5 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101260557A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张文彦;奚正平;李广忠;李亚宁;付安庆 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C30B30/02;C30B29/16;C01G23/047 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 刘崇义 |
| 地址： | 71001*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。其特征在于该同轴纳米管阵列由以下重量百分比化学成分组成：Nb 6.97～9.07％、Mo 2.08～2.25％、Zr 0.35～0.82％、O 48.49～49.35％、其余为Ti和其它不可避免的杂质。本发明具有独特的同轴纳米管结构特征和显著的半导体综合性能，尤其是具有优良的光催化性能，且拥有较高的生物活性，可重点应用在光催化、组织工程领域；同时，本发明还可以广泛地应用在太阳能电池、过滤分离、传感器、微纳器件、光学器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同轴 双管 氧化 纳米 阵列 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种同轴双管二氧化钛纳米管阵列薄膜，其特征在于该同轴纳米管阵列由以下重量百分比的化学成分组成：Nb 6.97～9.07％，Mo 2.08～2.25％，Zr 0.35～0.82％，O 48.49～49.35％，其余为Ti和不可避免的杂质。
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