[发明专利]氮化物半导体发光器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710188675.3 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101188263A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括步骤：在基板上依次沉积第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层和含铟的p型氮化物半导体隧道结层；在所述基板的温度最高高于沉积所述p型氮化物半导体隧道结层时的基板的温度150℃时，在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积氮化物半导体蒸发减少层，所述氮化物半导体蒸发减少层具有大于所述p型氮化物半导体隧道结层的带隙；和在所述基板的温度高于沉积所述氮化物半导体蒸发减少层时的基板温度时，在所述氮化物蒸发减少层上沉积第二n型氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括步骤：在基板上依次沉积第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层和含铟的p型氮化物半导体隧道结层；在所述基板的温度最高高于沉积所述p型氮化物半导体隧道结层时的所述基板的温度150℃时，在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积氮化物半导体蒸发减少层，所述氮化物半导体蒸发减少层具有大于所述p型氮化物半导体隧道结层的带隙；和在所述基板的温度高于沉积所述氮化物半导体蒸发减少层时的所述基板的温度时，在所述氮化物蒸发减少层上沉积第二n型氮化物半导体层。
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