[发明专利]接合材料、接合材料的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 200710188775.6 申请日: 2007-11-20
公开(公告)号: CN101185991A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 池田靖;冈本正英 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: B23K35/22 分类号: B23K35/22;B23K35/40;H01L23/10;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 钟晶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种接合材料及其的制造方法以及半导体装置,在Al系合金层(102)的最表面设置了Zn系合金层(101)。该接合材料的上述Al系合金层(102)的Al含有率为99~100wt.%或上述Zn系合金层101的Zn含有率为90~100wt.%。通过使用该接合材料,在连接时能够抑制接合材料的表面的Al氧化膜的形成,能够得到用Zn-Al合金不能得到的良好的浸润性。另外,在接合后存留有Al系合金层的场合,由于柔软的Al作为应力缓冲材料发挥功能,所以能够得到很高的接合可靠性。
搜索关键词: 接合 材料 制造 方法 半导体 装置
【主权项】:
1.一种接合材料,其特征在于:由Al系合金层和设置于上述Al系合金层的最表面的Zn系合金层构成。
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