[发明专利]大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法无效
| 申请号： | 200710190291.5 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101250725A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;唐少春;朱少鹏;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;C25C1/12;C25D3/38;C30B30/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法：采用电解沉积方法，阳极为一个纯度≥99.95％纯铜片，阴极使用的电极是在金属或硅片的正面沉积或镀金膜，电解液是硫酸铜溶液；铜盐电解液的浓度为0.08－0.24mol/L；电沉积时调节恒定总电压为10－100mV，电解时间为20－200s；反应后将负载铜纳米的负极用去离子水反复清洗，最后在空气中晾干。本发明采用了恒压的模式；电解槽为塑料槽；本发明制备的铜纳米晶在GFE基体表面分布的很均匀，其单分散较好，产率高且尺寸可控。本发明方法简单、易操作，产物易分离、纯度较高，具有很好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 均匀分布 铜八面体 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法：其特征是阳极为一个纯度≥99.95％纯铜片，阴极使用的电极是在金属或硅片的正面沉积或镀金膜，电解液是硫酸铜溶液；铜盐电解液的浓度为0.08-0.24mol/L；电沉积时调节恒定总电压为10-100mV，电解时间为20-200s；反应后将负载铜纳米的负极用去离子水反复清洗，最后在空气中晾干。
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