[发明专利]铌合金高温抗氧化硅化物涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 200710192652.X | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101200801A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 肖来荣;易丹青;蔡志刚;许谅亮;舒学鹏;张路怀 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;B22F7/02;C23C10/44 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌合金高温抗氧化硅化物涂层及其制备方法，首先在铌合金基体表层通过真空烧结粒度大部分在0.6～1.0μm之间且厚度在50μm～80μm的钼层，然后在氩气保护下，通过包渗硅化制备MoSi2涂层，包渗活化剂为NaF，助剂为Al2O3，且Si∶Al2O3∶NaF质量比为35～45∶50～65∶3～5。复合包渗工艺适于制备高熔点硅化物涂层，可对异型结构件内部及外表面进行涂覆，基本不受部件形状、尺寸的影响。该方法制备的涂层组分和厚度较均匀，致密度较料浆反应烧结法有较大提高，且工艺简单，对设备要求低，是一种新型的高温涂层制备技术。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 高温 氧化 硅化物 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌合金高温抗氧化硅化物涂层，其特征是：首先在铌合金基体表层通过真空烧结粒度大部分在0.6～1.0μm之间且厚度在50μm～80μm的钼层，然后在氩气保护下，通过包渗硅化制备MoSi2 涂层，包渗活化剂为NaF，助剂为Al2O3，Si∶Al2O3∶NaF质量比为35～45∶50～65∶3～5。
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