[发明专利]栅极二极管非易失性存储器工艺

摘要

一种具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包含具有额外栅极端的二极管结构。不同实施例可以包含或排除位于二极管节点之间的扩散障碍结构。实施例包含单个存储单元、这种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。

主权项

1.一种制造非易失性存储元件于集成电路中的方法，该元件包含二极管，其具有第一二极管节点与第二二极管节点，包含：形成该集成电路中的第一电荷类型的第一层于该集成电路中第二电荷类型的第二层之上，其中该第一电荷类型与该第二电荷类型相反；除去该第一层与该第二层的一部分，以在该第一层中形成第一二极管节点及在该第二层中形成第二二极管节点，该第一电荷类型的该第一二极管节点相对于该第二电荷类型的第二二极管节点，该第一二极管节点与该第二二极管节点，由结所分隔；形成该集成电路中的隔离介质区以隔离该第二二极管节点的至少一部分与相邻元件，如此该隔离介质区使得该结未被覆盖；形成电荷储存结构与一个或多个储存介质结构于该集成电路中，该电荷储存结构与一个或多个储存介质结构覆盖至少该结以及邻接于该结的该第一二极管节点与该第二二极管节点的一部分，因此该一个或多个储存介质结构至少部分位于该电荷储存结构与该第一及第二二极管节点之间，且至少部分位于该电荷储存结构与该元件的栅极电压源之间；以及形成供给该元件的该栅极电压源的该栅极。