[发明专利]半导体开关电路无效
| 申请号： | 200710192805.0 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188414A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 木原秀之;鹈饲友弘;稻垣清贵 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供在导通状态下也能够减少消耗电流的半导体开关电路。半导体开关电路(100)包括：用于导通的P型MOS晶体管(Q101和Q102)，在输入/输出端子(101)和输入/输出端子(102)之间共有源极，而且串联连接；P型MOS晶体管(Q103)和N型MOS晶体管(Q105)，其漏极连接到P型MOS晶体管(Q101)的栅极；P型MOS晶体管(Q104)和N型MOS晶体管(Q106)，其漏极连接到P型MOS晶体管(Q102)的栅极；以及控制端子(103)，连接到各个晶体管的栅极，P型MOS晶体管(Q103和Q104)的源极和背栅为连接到P型MOS晶体管(Q101和Q102)的源极的结构，通过对控制端子(103)施加的控制信号的电压值(Vcont)的电压控制，将输入/输出端子(101)和输入/输出端子(102)之间切换为导通/非导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关电路，包括：用于导通的第一和第二MOS晶体管，在第一输入/输出端子和第二输入/输出端子之间共有源极，而且被串联连接；第三和第五MOS晶体管，其漏极被连接到所述第一MOS晶体管的栅极；第四和第六MOS晶体管，其漏极被连接到所述第二MOS晶体管的栅极；以及控制端子，被连接到所述第三至第六MOS晶体管的栅极，所述第三和第四MOS晶体管的源极和背栅被连接到所述第一和第二MOS晶体管的源极。
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