[发明专利]半导体处理用氧化装置和方法有效
| 申请号： | 200710192901.5 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101150050A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 井上久司;问谷昌孝;水野功胜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/67;C23C8/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体处理用氧化装置，包括具有以隔开间隔的堆积状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器；对所述处理区域进行加热的加热器；对所述处理区域内进行排气的排气系统；向所述处理区域供给氧化性气体的氧化性气体供给系统；和向所述处理区域供给还原性气体的还原性气体供给系统。氧化性气体供给系统包括在与所述处理区域对应的上下方向的长度上延伸的氧化性气体喷嘴，氧化性气体喷嘴具有存在于与所述处理区域对应的上下方向的整个长度上的多个气体喷射孔，还原性气体供给系统包括与沿所述处理区域的上下排列的多个区段相对应的、具有不同高度的多个还原性气体喷嘴，各还原性气体喷嘴具有存在于对应的区段高度的气体喷射孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 氧化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理用的氧化装置，其特征在于，包括：具有以隔开间隔堆积的状态收纳多个被处理基板的处理区域的处理容器；对所述处理区域进行加热的加热器；对所述处理区域内进行排气的排气系统；向所述处理区域供给氧化性气体的氧化性气体供给系统；和向所述处理区域供给还原性气体的还原性气体供给系统，所述氧化性气体供给系统包括在与所述处理区域对应的上下方向的长度上延伸的氧化性气体喷嘴，所述氧化性气体喷嘴具有在与所述处理区域对应的上下方向的整个长度上存在的多个气体喷射孔，所述还原性气体供给系统包括与沿所述处理区域的上下排列的多个区段对应而具有不同高度的多个还原性气体喷嘴，各还原性气体喷嘴具有存在于对应的区段的高度的气体喷射孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
