[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 200710193300.6 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281931A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 小山英寿;加茂宣卓;志贺俊彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，具有：氮化物半导体层；栅电极层，在所述氮化物半导体层上层叠氮化钽而成，与该氮化物半导体层形成肖特基结；绝缘膜，以包围所述栅电极层的方式设置在所述氮化物半导体层上，所述栅电极层的不与该氮化物半导体层接触的部位的氮化率比与所述氮化物半导体层接触的部位低。
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