[发明专利]晶粒重新配置的封装结构中使用预先配置的扇出结构有效
申请号: | 200710193466.8 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101447437A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 齐中邦 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶粒重新配置的封装结构,包括:一晶粒,其具有一主动面及一下表面,主动面上配置有多数个焊垫;多数个金属线段,每一金属线段的一端的背面形成在晶粒的主动面上并与多数个焊垫电性连接;一封装体,是环覆住晶粒的四个面且曝露出晶粒的主动面及背面;一保护层,是覆盖金属线段的正面并曝露出多数个金属线段的延长部分的另一端的一部分表面;多数个导电元件,是将多数个导电元件与多数个金属线段的延长部分的另一端的部分表面电性连接;以及一散热装置,形成在晶粒的下表面。 | ||
搜索关键词: | 晶粒 重新 配置 封装 结构 使用 预先 | ||
【主权项】:
1. 一种晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,包括:提供一衬底,具有一上表面及一下表面,且于该衬底的该上表面配置一粘着层;形成多数个图案化具有延长部份的金属线段于该粘着层上,其中所述多数个金属线段的一背面形成于该粘着层的一上表面;提供多数个晶粒,每一该晶粒具有一主动面及一下表面并于该主动面上配置有多数个焊垫;多数个金属凸块,是与每一该晶粒的该主动面上的所述多数个焊垫电性连接;贴附所述多数个晶粒,是将每一该金属凸块与所述多数个图案化的金属线段的一端的正面形成电性连接;形成一高分子材料层在该衬底及部份所述多数个晶粒的该下表面上;提供一模具装置,用以平坦化该高分子材料层,使得该高分子材料层填满在所述多数个晶粒之间且包覆每一所述多数个晶粒以形成一封装体;脱离该模具装置,以曝露出于该高分子材料层所形成的该封装体;脱离该衬底,以曝露出每一具有延长部份的多数个金属接点的背面;形成一图案化的保护层于所述多数个金属线段上,并曝露所述多数个金属线段的另一端的部份表面;形成多数个导电元件,将所述多数个导电元件与已曝露的所述多数个图案化的金属线段的部份表面电性连接;及切割该封装体,以形成多数个各自独立的完成封装的晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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