[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710193500.1 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101192541A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴珑虎 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。其中该半导体器件包括：半导体衬底，其包括源极/漏极区域和在该源极/漏极区域之间的沟道；在该沟道上的栅极氧化层图案；在该栅极氧化层图案上的金属氮化层图案；在该金属氮化层图案上的硅化物；以及在该栅极氧化层图案、该金属氮化层图案和该硅化物的侧面上的间隔物。在一个实施例中，该金属氮化层图案的厚度是该硅化物的1/4至1/2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层、金属氮化层和多晶硅层；对所述多晶硅层、所述金属氮化层和所述栅极氧化层进行图案化；将离子注入到所述半导体衬底的暴露区域中；在所述半导体衬底和所述图案化的多晶硅层上沉积金属层，并且执行第一快速热处理；以及除去剩余的金属，并执行第二快速热处理以形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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