[发明专利]单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池

摘要

本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

主权项

1.一种单结晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出其光反射膜、作为光变换层的单结晶硅层、和透明绝缘性基板被沉积在一起，并以上述透明绝缘性基板侧作为受光面的单结晶硅太阳能电池的方法，其特征为至少包含：准备透明绝缘性基板与第一导电型的单结晶硅基板的工艺；将氢离子或稀有气体离子的至少其中一种，注入上述单结晶硅基板，来形成离子注入层的工艺；对上述单结晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板的至少其中一方的表面之中的至少一方，进行表面活性化处理的工艺；以上述进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合上述单结晶硅基板的离子注入面与上述透明绝缘性基板的工艺；对上述离子注入层施予冲击，机械性剥离上述单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在上述单结晶硅层的上述剥离面侧，形成多个与上述第一导电型相异的导电型也就是第二导电型的扩散区域，至少在面方向形成多个pn结，并作成在上述单结晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；在上述单结晶硅层的上述多个第一导电型区域上分别形成多个第一个别电极，而在上述多个第二导电型区域上分别形成多个第二个别电极的工艺；形成用以连接上述多个第一个别电极的第一集电电极与用以连接上述多个第二个别电极的第二集电电极的工艺；以及形成用以覆盖上述多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的光反射膜的工艺。