[发明专利]临场修补等离子体损害基底的方法与晶体管元件的制造方法有效
| 申请号： | 200710194220.2 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101308767A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 苏心芳;蔡世昌;李俊鸿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种临场修补等离子体损害基底的方法。此方法适用于基底上已形成一构件，且形成此构件的步骤包括一含等离子体的蚀刻制程。此方法包括，在进行主蚀刻制程的机台进行软式等离子体蚀刻制程，以移除部份基底。软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于30％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力。 | ||
| 搜索关键词： | 临场 修补 等离子体 损害 基底 方法 晶体管 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种临场修补等离子体损害基底的方法，其中，该基底上已形成一构件，且形成该构件的步骤包括一含等离子体的主蚀刻制程，该方法包括：在进行该主蚀刻制程的机台进行一软式等离子体蚀刻制程，以移除部份该基底，其中该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于30％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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