[发明专利]高亮度发光二极管结构无效
| 申请号： | 200710194779.5 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452976A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郑香平;杨昌义;吴厚润 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高亮度发光二极管结构，利用一由n型磷化铝铟(AlInP)所形成高掺杂的岛状结构层，形成于该磷化铝镓铟(AlGaInP)半导体叠层结构部分表面用以形成电流阻隔，该岛状结构层被该p型窗口层所包覆，且位于该欧姆p电极下方，由此加强输入的电流流向非出光面电极所遮蔽的磷化铝镓铟半导体叠层区域，使电流分布达到最佳状态，进而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构至少包括：n型基板(100)，其是由砷化镓所形成，且其底面形成欧姆n电极(150)；分布式布拉格反射层(110)，其形成于所述n型基板(100)上；磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)，其形成于所述分布式布拉格反射层(110)上，用以回应电流的导通而产生光；p型窗口层(130)，其是由磷化镓所形成，形成于所述磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)上；欧姆p电极(160)，形成于所述p型窗口层(130)上；以及高掺杂的岛状结构层(140)，所述岛状结构层(140)是由n型磷化铝铟所形成，其中磷化铝铟为Al0.5In0.5P，其形成于所述磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)部分表面用以形成电流阻隔，被所述p型窗口层(130)所包覆，且所述岛状结构层(140)位于所述欧姆p电极(160)下方。
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