[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种闪存器件，该闪存器件包括在半导体衬底上方形成的单元区和逻辑区；在该单元区上方形成空间分开的一对叠栅；在单元区上方形成的一对第一间隔垫，直接与叠栅的至少一侧接触；在逻辑区上方形成的空间分离的一对栅极；在逻辑区上方形成的一对第二间隔垫，直接与栅极的至少一侧接触；在第一间隔垫之间的单元区上方形成的第一光刻胶层以及在第二间隔垫之间的逻辑区上方形成的第二光刻胶层，第二光刻胶层具有预定的厚度，足以保护第二间隔垫。

主权项

1.一种方法，包括：在半导体衬底的单元区上方形成空间分开的一对叠栅；在所述单元区上方形成一对第一间隔垫，直接与所述叠栅的至少一侧接触；在所述半导体衬底的逻辑区上方形成空间分开的一对栅极；在所述逻辑区上方形成一对第二间隔垫与所述栅极的至少一侧直接接触。在所述第一间隔垫之间的单元区上方以及所述第二间隔垫之间的逻辑区上方涂覆第一光刻胶层，其中形成所述第二光刻胶层到足以覆盖所述部分第二间隔垫的预定初始厚度；硬化所述第一光刻胶层以及第二光刻胶层；以及然后使用蚀刻工艺将所述第二光刻胶层的初始厚度减小到足以保护所述第二间隔垫的最终厚度。