[发明专利]晶粒重新配置的堆栈封装方法及其堆栈结构

摘要

一种晶粒重新配置的封装结构，包括：一晶粒的主动面上配置有多数个焊垫；一封装体封装体包覆晶粒并曝露出晶粒上的多数个焊垫；多数个导电柱，是贯穿封装体封装体并于两端分别形成第一导电端点及第二导电端点；多数个图案化的金属线段，是由每一图案化的金属线段将晶粒上的多数个焊垫电性连接至多数个导电柱的每一第一导电端点；一图案化的保护层，是用以覆盖每一晶粒上的多数个焊垫及多数个图案化的金属线段，并曝露出部分多数个图案化的金属线段的向外延伸的一表面；及多数个导电元件，是电性连接于已曝露的部份图案化的金属线段的向外延伸的表面上。

主权项

1. 一种晶粒重新配置的封装方法，其特征在于，包括：提供多数个晶粒，每一该晶粒具有一主动面且该主动面上配置有多数个焊垫；取放该些晶粒至一衬底上，每一该晶粒是以覆晶方式将该主动面与一配置于该衬底上的一粘着层连接；形成一高分子材料层于该衬底及部份该晶粒上；覆盖一模具装置至该高分子材料层上，以平坦化该高分子材料，使该高分子材料层充满于该些晶粒之间并包覆每一该晶粒；脱离该模具装置，以曝露出该高分子材料层的一表面；形成多数个贯穿孔，每一该贯穿孔是形成于部份该高分子材料层之中；脱离该衬底，以曝露出每一该晶粒的该主动面、每一该焊垫以及每一该贯穿孔，以形成一封装体；形成多数个导电柱，将一导电材料填充该些贯穿孔并使每一该导电柱的两端形成一第一导电端点及一第二导电端点；形成多数个图案化的金属线段，由每一该图案化的金属线段将每一该晶粒的该主动面的所述多数个焊垫电性连接至所述多数个导电柱的每一该第一导电端点；形成一图案化的保护层，用以覆盖每一晶粒的该主动面上的所述多数个焊垫及所述多数个图案化的金属线段，并曝露出部份所述多数个图案化的金属线段的向外延伸的一表面；形成多数个导电元件，将所述多数个导电元件形成于已曝露的部份所述多数个图案化的金属线段的向外延伸的该表面上；及切割该封装体，以形成多数个各自独立的完成封装的晶粒。