[发明专利]高压元件结构无效
| 申请号： | 200710196442.8 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452929A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 清水悟;康智凯;赵志明;黄汉屏 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压元件结构，由隔离结构、高压导体层以及金属遮蔽层所组成。隔离结构设置于基底中，且隔离结构的两侧的基底中分别设置有导电区，高压导体层设置于隔离结构的上层中，金属遮蔽层则设置于隔离结构与高压导体层之间，且完全遮蔽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种高压元件结构，包括：一元件，设置于一基底上；一高压导体层，设置在该基底上层，横跨过该元件；以及一金属遮蔽层，设置在该元件与该高压导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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