[发明专利]半导体装置和电光学装置

摘要

本发明公开一种半导体装置和电光学装置，其中薄膜晶体管10将多晶硅膜1a作为能动层而具有，并具有漏极侧的第1薄膜晶体管部10a和源极侧的第2薄膜晶体管部10b串联连接的多栅极构造。第1薄膜晶体管10a备有：第1前部栅极电极3a和与该第1前部栅极电极3b电连接的漏极侧后部栅极电极8a，第2薄膜晶体管10b备有第2前部栅极电极3b和施加有源极电位的源极侧后部栅极电极8b。从而即使在因弯折效应而使得在薄膜晶体管的饱和动作区域中存在源极·漏极电流的变动的情况下，也能够得到稳定的输出。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有将在基板上形成的多晶硅膜作为有源层而备置的薄膜晶体管，所述多晶硅膜，形成于第1栅极绝缘层和所述第2栅极绝缘层的层间，所述薄膜晶体管，具有：第1薄膜晶体管部，其具有位于所述多晶硅膜的漏极侧的第1沟道区域以及隔着所述第1栅极绝缘层而与该第1沟道区域相面对的第1前部栅极电极；第2薄膜晶体管部，其具有在所述多晶硅膜中在源极侧通过杂质导入区域而与所述第1沟道区域邻接的第2沟道区域，以及隔着所述第1栅极绝缘层而与该第2沟道区域相面对的第2前部栅极电极，所述第1薄膜晶体管部和所述第2薄膜晶体管部，导电类型相同且串联连接，并且所述第1前部栅极电极和所述第2前部栅极电极电连接，在隔着所述第2栅极绝缘层而与所述第2沟道区域相面对的区域中形成被施加了源极电位的源极侧后部栅极电极。