[发明专利]辐射传感器无效
| 申请号： | 200710196673.9 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101196423A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | T·J·克雷尔纳;P·J·斯特劳布;R·特威尼 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;H01L35/34;H01L35/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范晓斌;杨松龄 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造辐射传感器的方法，其中，在一个晶片上形成多个热堆，在另一晶片中形成多个用于热堆的封装件。各封装件包括形成的井，该井由窗口覆盖。这两个晶片在受控气体或真空环境中接合，使得各热堆处于井中并在封装件的窗口下面。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种制造辐射传感器的方法，该方法包括：在一个晶片上形成多个热堆；在另一晶片中形成多个用于热堆的封装件，各封装件包括形成的井，该井由窗口覆盖；将这些晶片在受控气体或真空环境中接合，使得各热堆处于井中并处于封装件的窗口下面。
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