[发明专利]有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法

摘要

一种有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法，此结构包括多个可编程电阻随机存取存储单元，每一可编程电阻随机存取存储单元包括多个存储构件，以在每一存储单元中进行多位存储。此双稳态电阻随机存取存储器包括第一电阻随机存取构件，其经过内连接金属衬底与金属氧化物长条而连接至第二电阻随机存取构件。第一电阻随机存取构件具有第一电阻值Ra，其由第一电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第一电阻随机存取构件的沉积步骤。第二电阻随机存取构件具有第二电阻值Rb，其由第二电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第二电阻随机存取构件的沉积步骤。

主权项

1.多阶单元(MLC)电阻随机存取存储结构，包括：第一可编程电阻存储构件，其具有电阻Ra与厚度t1，所述电阻Ra与所述厚度t1成正相关，所述第一可编程电阻存储构件在第一位置具有第一金属氧化物长条，并在第二位置具有第二金属氧化物长条，其中所述第一位置与所述第二位置分离；第二可编程电阻存储构件，其具有电阻Rb与厚度t2，所述电阻Rb与所述厚度t2成正相关，所述第二可编程电阻存储构件在第一位置具有第三金属氧化物长条，并在第二位置具有第四金属氧化物长条，其中所述第一位置与所述第二位置分离；绝缘构件，其分隔所述第一可编程电阻存储构件与所述第二可编程电阻存储构件；第一内连接，其垂直地连接所述第一可编程电阻存储构件的所述第一金属氧化物长条以及所述第二可编程电阻存储构件的所述第三金属氧化物长条；以及第二内连接，垂直地连接所述第一可编程电阻存储构件的所述第二金属氧化物长条与所述第二可编程电阻存储构件的所述第四金属氧化物长条。