[发明专利]一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法，包括：提供金属层、接触孔、阻挡层、多根处于无源区的多晶硅、多根处于有源区的多晶硅和包括有源区的衬底，处于多根有源区的多晶硅和包括有源区的衬底形成多个晶体管；多根处于无源区的多晶硅形成多条源线；多根处于无源区的多晶硅形成多条字线；金属层中的多根金属线形成多条位线；依次连接金属层、接触孔、阻挡层、处于无源区的多晶硅形成电容器，将所述晶体管与所述电容器对应串联连接形成存储单元排布在与其对应的字线、位线和源线之间。通过本发明，提高了存储器的存储稳定性、进一步缩小了存储器的面积，从而更有利于大规模集成电路的应用。

主权项

1.一种可编程非易失性存储器单元，包括晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括与所述晶体管串联连接的电容器；所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和处于无源区的多晶硅依次连接形成；其中，所述阻挡层为该电容器的介质层。