[发明专利]绝缘层上覆硅的制作方法及绝缘层上覆硅的结构无效
| 申请号： | 200710196836.3 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459052A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;李名言;蔡文立 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：于基材上形成多个沟槽；于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；于该氧化层上形成氮化层；移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；使用阳极处理使部分基材形成多孔硅层；旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。本发明同时提供一种按照上述方法制作得到的绝缘层上覆硅的结构。利用本发明的方法制作绝缘层上覆硅的结构，可降低成本，且制作过程快速，使生产率上升。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：于基材上形成多个沟槽；于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；于该氧化层上形成氮化层；移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；使用阳极处理使各沟槽下方的部分基材形成多孔硅层；旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
