[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
| 申请号： | 200710197076.8 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101207153A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈暎究;洪起夏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储装置及其操作方法，增加了操作可靠性并便于增强集成。该非易失性存储装置可包括半导体基底和可被设置在所述半导体基底上的至少一个电荷存储层。至少一个控制栅电极可被设置在所述至少一个电荷存储层上。至少一个第一辅助栅电极可被设置于所述至少一个电荷存储层的一侧且与所述电荷存储层分离，并且与所述半导体基底隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：半导体基底；至少一个电荷存储层，位于所述半导体基底之上；至少一个控制栅电极，位于所述至少一个电荷存储层之上；以及至少一个第一辅助栅电极，位于所述至少一个电荷存储层的一侧且与所述至少一个电荷存储层分离，并且与所述半导体基底隔离。
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