[发明专利]内埋电子元件结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种内埋电子元件结构及其制造方法。其中此内埋电子元件结构包括：下压合层、第一夹制层、介电层、第二夹制层、电子元件、上压合层以及连结栓。第一夹制层设置于下压合层之上。介电层设置于第一夹制层之上。第二夹制层位于介电层之上。电子元件埋设于该介电层之中，且电子元件的下表面与第一夹制层接触，电子元件的上表面与第二夹制层接触。上压合层覆盖于第二夹制层之上。连结栓邻接于电子元件并贯穿介电层，且分别与第一夹制层及第二夹制层连结。本发明解决现有的内埋电子元件因电子元件与封装结构之间的结合力不足，而导致封装体脱层或断裂的问题，以达到提升良率与降低制造成本的目的。

主权项

1.一种内埋电子元件结构，其特征在于包括：一下压合层；一第一夹制层，设置于该下压合层之上；一介电层，设置于该第一夹制层之上；一第二夹制层，位于该介电层之上；一电子元件，具有一上表面及一下表面，该电子元件埋设于该介电层之中，且该第一夹制层与该下表面接触，该第二夹制层与该上表面接触；一上压合层，覆盖于该第二夹制层之上；以及一连结栓，邻接于该电子元件并贯穿该介电层，且分别与该第一夹制层及该第二夹制层连结。