[发明专利]铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 200710198636.1 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101215684A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;高桥一郎;山田敦彦;樱井弘之 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电膜 半导体 装置 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。
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