[发明专利]铝互连线的可控表面氧化无效
| 申请号： | 200710198741.5 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101373735A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 米勒·A·艾伦;阿诗士·博德克;曹勇;安东尼·C－T·陈;建明·付;政·徐;康成横山 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321;H01L21/67;H01L21/00;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及铝互连线的可控表面氧化，其公开了在可额外选择氩气的纯氧气环境中用于集成电路的可控地氧化(114)铝互连金属化(18)。晶圆从铝溅射期间产生的300℃温度冷却到不大于100℃的温度，从而允许铝处理的晶圆装载到塑料承载料盒(34)。在高真空传送腔室(62)和低真空传送腔室(40)之间的通道腔室(56，80)中能够可控地发生氧化。氧气分压强在0.01到1Torr范围内是有利的，优选地为0.1到0.5Torr。当晶圆放置在水冷的基座上时，增加氩气至总气压大于1Torr可促进晶圆冷却。为了防止氧气回流到溅射腔室，冷却腔室在冷却期间不抽成真空并且首先将氩气然后将氧气送入冷却腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 可控 表面 氧化 | ||
【主权项】：
1.一种沉积用于集成电路互连线的铝的方法，包括以下步骤：在夹持于上升温度下的衬底上溅射沉积未构图的铝层；以及随后在含有主要由氧气组成的活性气体的环境中部分氧化所述未构图的铝层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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