[发明专利]直接在碳纸表面生长碳纳米管,再通过CVD法在其碳纳米管表面负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极及其制造方法有效
| 申请号： | 200710198794.7 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101246963A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 金喜连;丁湳条;李承宰;宋光燮 | 申请（专利权）人： | 韩国能量技术研究院 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;C01B31/02;C23C16/00;C25B11/06;G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极及其制造方法的。具体地说，就是关于直接在碳纸表面生长碳纳米管，然后，再在碳纳米管的表面通过化学气相沉积法负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极的制造方法及碳纳米管电极。根据本发明，通过直接生长碳纳米管，就可以最大程度地利用碳纳米管的较宽的表面积和其优良的导电性等优点，特别是通过利用化学气相沉积法直接在碳纳米管的表面负载铂金催化剂的方法，就可以增强纳米催化剂粒子的分散度，并能够使催化剂的活性变得更加优良，从而就可以将非常细小的纳米催化剂粒子负载到碳纳米管的表面上。这样，就不仅能够使铂金的使用量达到最小的限度，同时，还能够有效地增强催化剂的效果，为今后将其用于学术及产业方面奠定了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 表面 生长 纳米 通过 cvd 负载 铂金 催化剂 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极的制造方法，其特征在于，包括如下几个阶段：(A)为了生长碳纳米管而对碳纸表面进行预处理的阶段；(B)为了生长碳纳米管而在经过预处理后的碳纸的表面负载催化剂金属即镍、钴、铁或其混合物粒子的阶段；(C)在负载有催化剂金属的碳纸表面流入气相碳源，并使其维持适当的温度，从而生长碳纳米管的阶段；(D)从生长的碳纳米管中除去用作催化剂的镍、钴、铁或其混合物金属，然后，为了负载铂金纳米催化剂而对碳纳米管的表面进行预处理的阶段；(E)为了负载铂金纳米催化剂而在经过预处理后的碳纸表面生长碳纳米管，并在其上面流入气相铂金电球体，从而负载铂金纳米催化剂的阶段。
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