[发明专利]利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法有效
申请号: | 200710199060.0 | 申请日: | 2007-12-07 |
公开(公告)号: | CN101295138A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 游秋山 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法,其是将印框护膜固定于光掩膜上,该印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜,印框护膜具有第一孔与第二孔,第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间,而第一空间由光掩膜与印框护膜环设而成的。在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光的同时,使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。 | ||
搜索关键词: | 利用 换气 装置 降低 光掩膜 雾化 曝光 方法 | ||
【主权项】:
1、一种降低光掩膜雾化的曝光方法,其特征在于,至少包含:将一印框护膜固定在该光掩膜上,其中该印框护膜至少包含一护膜框架及与该护膜框架连接的一护膜,且该印框护膜具有一第一孔与一第二孔,该第一孔与该第二孔均连接一第一空间与该印框护膜外的一第二空间,而该第一空间则由该光掩膜与该印框护膜环设而成的;以及利用能量源穿过该印框护膜及该光掩膜对该光刻层曝光时,同时使该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜。
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