[发明专利]薄膜处理的方法无效
| 申请号： | 200710199061.5 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101299417A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 妮琴·K·英吉;唐京;郑易;郑·原;葛振宾;卢欣亮;希恩－坦恩·卡欧;维卡什·班西埃;梅·常 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体结构的方法包括在衬底表面上形成多个部件，在两个相邻部件之间具有至少一个空间。第一电介质层形成于该部件上并位于至少一个空间内。部分第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应，以形成第一固体产物。第一固体产物分解以基本去除部分第一电介质层。第二电介质层形成以基本填充至少一个空间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：在衬底表面上形成多个部件，在两个邻近部件之间存在至少一个空间；在所述部件和所述至少一个空间内形成第一电介质层；使部分所述第一电介质层与反应物反应，所述反应物得自第一前驱物和第二前驱物，以形成第一固体产物；分解所述第一固体产物以基本去除所述部分第一电介质层；以及形成第二电介质层以基本填充所述至少一个空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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